K4A4G165WE-BCR

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BCR
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2400 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BCR 10.000 17+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCR 12.320 17+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCR 12.320 DC2017+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCR 11.200 17+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCR 22.400 DC2017+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCR 2.240 DC2017+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN4G6NAFR-UHC FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NAFR-UHIR FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NAJR-UHC FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-UHC FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-UHCR FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-UHIR FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256A-083PBL FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256A-083RB FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256A-083RBL FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-083RB FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+85 C