K4A4G165WE-BCWE

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BCWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BCWE000
K4A4G165WE-BCWE0CV
K4A4G165WE-BCWET00
K4A4G165WE-BCWETCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BCWE 0 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 11.200 21+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWET00 100,000+ 21/22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 34.720 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 11.200 2021+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 1.108 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 11.200 DC2020+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 5.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 10.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWETCV 18.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4A4G165WE-BCWE0EC FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G165WE-BCWETCT FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G165WE-BCWETEC FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E ES:B FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E:B FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E:BTR FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062EB FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E AAT FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E:F FBGA-96 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C