K4A8G085WB-BCTD

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A8G085WB-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 1GX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G085WB-BCTD000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1G
Bit Organization x8
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G085WB-BCTD 3.655 Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD 30.000 Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD000 84.000 23+ Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD000 960 Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD000 100,000+ Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD000 100.000 23+ Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD 4.807 Anfrage senden
K4A8G085WB-BCTD000 100,000+ Anfrage senden
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K4A8G085WB-BCTD000 100,000+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A1G8SA-075:E FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G8NAFR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NAFR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCIR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NDJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NJJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR81024A-075VB FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C