K4A8G085WB-BITD

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4A8G085WB-BITD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 1GX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G085WB-BITD0CV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1G
Bit Organization x8
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G085WB-BITD 17.920 25+ Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD 2.945 19 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD 8.960 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD0CV 49.844 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD0CV 51.532 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD0CV 6.000 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD0CV 71.089 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD0CV 1.331 Anfrage senden
K4A8G085WB-BITD 10.240 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A1G8WE-083E IT:B FBGA-78 1.2 V 2400 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G8NCIR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
H5AN8G8NCJR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
IS43QR81024A-075VBA1 FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
IS43QR81024A-075VBI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
K4A8G085WC-BITD FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E AIT:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E IT:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E IT:B TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
NT5AD1024M8A3-HRI TFBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C