K4A8G085WC-BITD

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4A8G085WC-BITD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 1GX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G085WC-BITD0CV
K4A8G085WC-BITDTCT
K4A8G085WC-BITDTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1G
Bit Organization x8
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G085WC-BITD 17.920 25+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 15.360 DC23+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 750 21+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 1.279 22+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 2.000 21+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 2.000 Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 2.000 22+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITD 160 22+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BITDTCT 0 Anfrage senden
K4A8G085WC-BITDTCT 58 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G8NCIR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
H5AN8G8NCJR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
IS43QR81024A-075VBA1 FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
IS43QR81024A-075VBI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
K4A8G085WB-BITD FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
K4A8G085WB-BITD0CV FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E AIT:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E IT:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A1G8WE-075E IT:B TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C