K4A8G085WC-BCWE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A8G085WC-BCWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 1GX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G085WC-BCWE000
K4A8G085WC-BCWE0CV
K4A8G085WC-BCWE0MM
K4A8G085WC-BCWE0T00
K4A8G085WC-BCWE0TCV
K4A8G085WC-BCWETCT
K4A8G085WC-BCWETCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 1G
Bit Organization x8
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G085WC-BCWE 30.720 DC24+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 30.720 Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE0MM 0 Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 20.480 Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 8.960 2025+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 17.920 25+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 10.240 Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE0MM 0 DC21+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 538 2234+ Anfrage senden
K4A8G085WC-BCWE 0 DC24+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A1G8SA-062E:E FBGA-78 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G8NAFR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NAFR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCIR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NDJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NJJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR81024A-075VB FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C