K4A8G085WC-BCWE

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4A8G085WC-BCWE
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 1GX8 DDR4
共通IC编号 K4A8G085WC-BCWE000
K4A8G085WC-BCWE0CV
K4A8G085WC-BCWE0T00
K4A8G085WC-BCWE0TCV
K4A8G085WC-BCWETCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 2666 MBPS
标准包装数量 1280
标准外箱
Number Of Words 1G
Bit Organization x8
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4A8G085WC-BCWE 30,720 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 10,240 索取报价
K4A8G085WC-BCWE000 3,840 索取报价
K4A8G085WC-BCWE000 5,120 23+ 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 0 23+ 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 20,480 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 11,200 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 0 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 30,720 DC23+ 索取报价
K4A8G085WC-BCWE 8,960 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A1G8SA-075:E FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5AN8G8NAFR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NAFR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCIR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NCJR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NDJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G8NJJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G8NCJR-VKCR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR81024A-075VB FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C