K4A8G165WB-BITD

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4A8G165WB-BITD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G165WB-BITDTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
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Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M16LY-062E IT:E FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43QR16512A-075VBLA1 FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR16512A-075VBLI FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITD FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITD U FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITD000 FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITDOCV FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITDTCT FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITDTCV FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BIWE FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BIWE0CV FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C