K4A8G165WC-BCTD

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A8G165WC-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G165WC-BCTD0
K4A8G165WC-BCTD000
K4A8G165WC-BCTD00P
K4A8G165WC-BCTD0CV
K4A8G165WC-BCTDT
K4A8G165WC-BCTDT00
K4A8G165WC-BCTDTCT
K4A8G165WC-BCTDTCV
K4A8G165WC-BCTDTCVTR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G165WC-BCTD 20.160 Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD000 0 25 Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 8.960 2025+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 3.838 2024+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 17.920 25+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 11.200 2023+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 8.960 Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 4.000 2023+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 44.800 24+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BCTD 10.080 24+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M16LY-075:E FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G6NAFR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCTR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKIR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NDJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NJJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8GENCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSANAGBNCMR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C