K4B1G0846D-HCF8

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Hersteller-Nummer K4B1G0846D-HCF8
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846D-HCF8000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1066 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846D-HCF8 5.500 Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 16.083 Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 2.000 2009+ Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 3.120 2009+ Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 3.028 11+ Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 1.178 2007+ Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8000 20.000 Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 800 Anfrage senden
K4B1G0846D-HCF8 1.000 2008+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846C-CF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-ACF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF0 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF00HB FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HYF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCF8000 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HYF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846F-HCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C