K4B1G0846D-HCF8

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4B1G0846D-HCF8
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 128MX8 DDR3
共通IC编号 K4B1G0846D-HCF8000

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1066 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B1G0846D-HCF8 5,500 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 16,083 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 2,000 2009+ 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 3,120 2009+ 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 3,028 11+ 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 1,178 2007+ 索取报价
K4B1G0846D-HCF8000 20,000 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 800 索取报价
K4B1G0846D-HCF8 1,000 2008+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4B1G0846C-CF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-ACF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF0 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF00HB FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HYF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCF8000 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HYF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846F-HCF8 FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C