K4B1G0846E-HCK

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B1G0846E-HCK
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846E-HCK0

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846E-HCK0 5.500 Anfrage senden
K4B1G0846E-HCK 900 Anfrage senden
K4B1G0846E-HCK0 28.162 Anfrage senden
K4B1G0846E-HCK0 2.000 2010+ Anfrage senden
K4B1G0846E-HCK0 2.000 09+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846G-BCK0TCV FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCKO FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846I-BCK0T FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846I-BCKO FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846Q-BCK0 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C