K4B1G0846F-BCH9

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Hersteller-Nummer K4B1G0846F-BCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846G -BCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCF9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH0 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 4240EA FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 SAMSUNG FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 USD 1.33 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH90 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH90DT FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C