K4B1G0846F-HCH9

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B1G0846F-HCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846F-HCH9000
K4B1G0846F-HCH9T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846F-HCH9 30.000 2010+ Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 3.000 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 2.560 2010 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 100.000 2010 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 33.280 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 21.275 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 38.400 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9000 60.000 Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 10.000 2011+ Anfrage senden
K4B1G0846F-HCH9 30.000 10+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846C-ZCG8 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCG9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846CZCG7 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HC9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH8T FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C