K4B1G0846F-HYF8

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B1G0846F-HYF8
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3L
Andere Bezeichnungen K4B1G0846F-HYF8000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1066 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846F-HYF8 4.000 Anfrage senden
K4B1G0846F-HYF8 8.841 Anfrage senden
K4B1G0846F-HYF8 2.000 2009+ Anfrage senden
K4B1G0846F-HYF8000 4.858 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TC1G83TFR-G7A FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
H5TC1G83TFR-G7AR-C FBGA-78 1.35V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HYF8 FBGA-78 1.35 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HYF8 FBGA-78 1.35 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BYF8 FBGA-78 1.35 V 1066 MBPS 0 C~+85 C