K4B1G1646D-HYF7
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B1G1646D-HYF7 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 64MX16 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 800 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 5th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B1G1646D-HYF7 | 12.031 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4B1G1646C-ZCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B1G1646D-HCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B1G1646E-HCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B1G1646I-BCF8000 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |