圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B1G1646D-HYF7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3 SDRAM |
IC代碼 | 64MX16 DDR3 |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 5th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4B1G1646D-HYF7 | 12,031 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K4B1G1646C-ZCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B1G1646D-HCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B1G1646E-HCF7 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B1G1646I-BCF8000 | FBGA-96 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |