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Hersteller-Nummer | K4B1G1646I-BHMAT2V |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
IC-Code | 64MX16 DDR3 |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.5 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
Geschwindigkeit | 1866 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 10th Generation |
Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4B1G1646I-BHMAT2V | 100,000+ | IN 2Y | Anfrage senden |
K4B1G1646I-BHMAT2V | 100,000+ | Anfrage senden | |
K4B1G1646I-BHMAT2V | 100,000+ | Anfrage senden | |
K4B1G1646I-BHMAT2V | 0 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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IS46TR16640B-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640B-107MBLA2-TR | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640C-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
MT41J64M16TW-107AAT:J | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |