K4B1G1646I-BHMAT2V
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B1G1646I-BHMAT2V |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 64MX16 DDR3 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 10th Generation |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| IS46TR16640B-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| IS46TR16640B-107MBLA2-TR | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| IS46TR16640C-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT41J64M16TW-107AAT:J | FBGA-96 | 1.5 V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |