K4B1G164E-HCH9

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Hersteller-Nummer K4B1G164E-HCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G164E-HCH9 11.200 2010+ Anfrage senden
K4B1G164E-HCH9 11.200 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G164QE-HCH9 FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15 ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15EB FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15EBTR FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15F ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15F:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C