K4B1G164E-HCH9

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B1G164E-HCH9
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3 SDRAM
IC代碼 64MX16 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1333 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 9th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4B1G164E-HCH9 11,200 2010+ 索取報價
K4B1G164E-HCH9 11,200 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4B1G164QE-HCH9 FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15 ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15E:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15EB FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15EBTR FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15F ES:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J64M16LA-15F:B FBGA 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C