Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K4B2G0846B-HYF7 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
IC-Code | 256MX8 DDR3 |
Gehäuse | FBGA-78 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.5 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 800 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4B2G0846B-HYF7 | 4.000 | Anfrage senden | |
K4B2G0846B-HYF7 | 19.400 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4B2G0846B-HCF7 | FBGA-78 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B2G0846C-HCF7 | FBGA-78 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B2G0846C-HYF7 | FBGA-78 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B2G0846E-MCF7 | FBGA-78 | 1.5 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |