K4B2G0846B-HYF7
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B2G0846B-HYF7 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 256MX8 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 800 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 3rd Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G0846B-HYF7 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K4B2G0846B-HYF7 | 19.400 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G0846C-HYF7 | FBGA-78 | 1.35 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |