K4B2G0846B-HYF7

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Hersteller-Nummer K4B2G0846B-HYF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846B-HYF7 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846B-HYF7 19.400 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G0846B-HCF7 FBGA-78 1.5 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HCF7 FBGA-78 1.5 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HYF7 FBGA-78 1.5 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-MCF7 FBGA-78 1.5 V 800 MBPS 0 C~+85 C