K4B2G0846B-HYF7
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B2G0846B-HYF7 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 256MX8 DDR3L |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 3rd Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G0846C-HYF7 | FBGA-78 | 1.35 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |