K4B2G0846B-HYH9

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Hersteller-Nummer K4B2G0846B-HYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846B-HYH9 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846B-HYH9 742 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ2G83CFR-H9C 49600EA FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ2G83CFR-H9C NBSP FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ2G83DFR-H9CR FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ2G83FFR-H9CR FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
HXB15H2G800CF-15H FBGA-78 1.5V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR82560A-15HBL FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR82560B-15HBL FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR82560B-15HBL-TR FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR82560B-15HBLC FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR82560C-15HBL FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C