K4B2G0846B-HYH9

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Hersteller-Nummer K4B2G0846B-HYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846B-HYH9 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846B-HYH9 742 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G0846C-HYH9 IC FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HYH9000 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C/D-B/HCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C/D-HCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C/D-HCH9000 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-BCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH90 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH900 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH9000 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C