K4B2G0846B-HYH9

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Hersteller-Nummer K4B2G0846B-HYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846B-HYH9 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846B-HYH9 742 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41J256M8DA-15EJ FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15:E FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E #160ITD FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E ES:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E IT ES:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E IT:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E IT:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E TP FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-15E: FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C