K4B2G0846D-HYF8

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Hersteller-Nummer K4B2G0846D-HYF8
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1066 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846D-HYF8 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846D-HYF8 2.000 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ2G83FFR-G7C FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
HXB15H2G800CF-19F FBGA-78 1.5V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846B-HCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846B-HCF8000 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846B-HYF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846BHCF0 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846BHCF9 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HYF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846C-HYF8000 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C