K4B4G0846B/C-HCH9

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Hersteller-Nummer K4B4G0846B/C-HCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41J512M8RA-15E:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA-15ED FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA-15EITD FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA-15EITDTR FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA15E FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-15E ES:E FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-15E ES:J FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-15E:E FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-15E:J FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8THD-15:D FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C