K4B4G0846B/C-HCH9
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B4G0846B/C-HCH9 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 512MX8 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1333 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 3rd Generation |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT41J512M8THD-15E | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-15E ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-15E:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-15ED | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-15EDPEOL | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD15E:DTR | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |