K4B4G0846C-HCK0

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Hersteller-Nummer K4B4G0846C-HCK0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43TR85120EC-125KBLC BGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LB BGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LBL BGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LBLC BGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125KB BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125KBL BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125KBLC BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125LB BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125LBL BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C