K4B4G0846C-HCK0

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Hersteller-Nummer K4B4G0846C-HCK0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41J512M8RA-125:D FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA-125:DTR FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RA-125:E FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125 ES:E FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125 ES:J FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125:D FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125:E FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125:J FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
MT41J512M8RH-125E FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C