K4B4G0846F-BYMA

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B4G0846F-BYMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846F-BYMA 20.000 Anfrage senden
K4B4G0846F-BYMA 10.240 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B4G0846R-BYMA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846R-BYMA000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846R-BYMA0000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 C ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 C:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 ES:R FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 IT FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107 IT : MICRON F FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C