K4B4G0846F-BYMA

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B4G0846F-BYMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846F-BYMA 20.000 Anfrage senden
K4B4G0846F-BYMA 10.240 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8DA-107 V:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107/T:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107: P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:N FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 20K FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 28,000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P TR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:PTF FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C TO +85 C
MT41K512M8DA-107:PTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C