K4B4G0846F-BYMA

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B4G0846F-BYMA
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3L SDRAM
IC代碼 512MX8 DDR3L

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.35V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4B4G0846F-BYMA 20,000 索取報價
K4B4G0846F-BYMA 10,240 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT41K512M8DA-107 V:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107/T:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107: P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:N FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 20K FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 28,000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P TR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:PTF FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C TO +85 C
MT41K512M8DA-107:PTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C