K4B4G0846Q-HCMA

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Hersteller-Nummer K4B4G0846Q-HCMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B4G0846Q-HCMA000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846Q-HCMA 4.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43TR85120B-107MB BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120B-107MBL BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120B-107MBLC BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120BL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120BL-107MB BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120BL-107MBL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120BL-107MBLC BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-107NB BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-107NBL BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120EC-107NBLC BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C