K4B4G0846Q-HCMA

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B4G0846Q-HCMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B4G0846Q-HCMA000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846Q-HCMA 4.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43TR85120ECL-107NB BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-107NBL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120ECL-107NBLC BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS46TR85120AL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HCK FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HCMA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCK FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCMA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCMA000 FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCMA0DT FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C