K4B4G0846Q-HYH90

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Hersteller-Nummer K4B4G0846Q-HYH90
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8RH-15E:J FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THD-15E FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THD-15E ES:D FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THD-15E:D FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THD-15ED FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-15E FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-15E ES:M FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-15E:H FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-15E:M FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8THV-15EH FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C