K4B4G0846Q-HYH90
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B4G0846Q-HYH90 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 512MX8 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1333 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 17th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT41K512M8THV-15EM | FBGA-78 | 1.35V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |