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| Hersteller-Nummer | K4B4G164E-BYMA |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 256MX16 DDR3L |
| Andere Bezeichnungen | K4B4G164E-BYMA000 |
| Gehäuse | |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1866 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 3rd Generation |
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B4G164E-BYMA000 | 2.400 | Anfrage senden | |
| K4B4G164E-BYMA000 | 4.480 | Anfrage senden | |
| K4B4G164E-BYMA000 | 2.000 | 24+ | Anfrage senden |
| K4B4G164E-BYMA000 | 2.000 | 23+ | Anfrage senden |
| K4B4G164E-BYMA | 0 | Anfrage senden |