K4E160411C-JC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160411C-JC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160411CJC5060

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-24/26
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411CJC5060 12.000 Anfrage senden
K4E160411CJC5060 15.000 Anfrage senden
K4E160411C-JC50 19.500 Anfrage senden
K4E160411C-JC50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5116404CJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404BJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404CJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C44002-50JL SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-BC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-BL50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-BC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-BC50000 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-BL50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-JC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C