K4E160411D-BC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160411D-BC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160411D-BC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-24/26
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160411D-BC50 6.240 Anfrage senden
K4E160411D-BC50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 3.200 08+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 12.000 Anfrage senden
K4E160411D-BC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 768 2002+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 7.600 2003+ Anfrage senden
K4E160411D-BC50 6.988 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5116404CJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404BJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
HY5117404CJ-50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41C44002-50JL SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-BC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-BL50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411C-JC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-BL50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160411D-JC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-JC50 SOJ-24/26 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C