K4E160412C-BC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160412C-BC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160412C-BC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160412C-BC50 12.000 Anfrage senden
K4E160412C-BC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 17.800 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 14.900 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 10.455 03+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50 5.000 2003+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50000 45.230 99+ Anfrage senden
K4E160412C-BC50000 1.297 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160412C-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50000 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C