K4E170412D-FL50

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Hersteller-Nummer K4E170412D-FL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x4
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E170412D-FL50 2.000 Anfrage senden
K4E170412D-FL50 8.336 05+ Anfrage senden
K4E170412D-FL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E170412D-FL50 12.000 Anfrage senden
K4E170412D-FL50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160412C-BC50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-BC50000 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50000 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C