K4E160811C-BL60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160811C-BL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811C-BL60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811C-BL60 5.000 03+ Anfrage senden
K4E160811C-BL60 5.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811C-BL60 5.000 02/03+ Anfrage senden
K4E160811C-BL60 4.800 2000+ Anfrage senden
K4E160811C-BL60 5.000 Anfrage senden
K4E160811C-BL60 5.000 2000+ Anfrage senden
K4E160811C-BL60 5.000 00 Anfrage senden
K4E160811C-BL60T00 50.000 99+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160811C-BC60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160811CJC5060 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160811CJC60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160811DJC5060 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160811DJC60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C