K4E160811C-FC50

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E160811C-FC50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E160811C-FC50000
	K4E160811C-FC50000(00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP-28
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Generation	4th Generation
Power	Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E160811C-FC50	5.500		Anfrage senden
K4E160811C-FC50	2.258	2005+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	12.000		Anfrage senden
K4E160811C-FC50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	8.902	2003+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	6.988	2003+	Anfrage senden
K4E160811C-FC50	2.000		Anfrage senden
K4E160811C-FC50	8.900	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160811D-BC50T00	TSOP-28	5.0 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160811D-FC50	TSOP-28	5.0 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160811D-FC50000	TSOP-28	5.0 V	50 NS	0 C~+85 C