K4E160811D-FC50

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Hersteller-Nummer K4E160811D-FC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811D-FC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811D-FC50 4.000 Anfrage senden
K4E160811D-FC50 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 3.200 08+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 2.800 07+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 12.000 Anfrage senden
K4E160811D-FC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811D-FC50 462 Anfrage senden
K4E160811D-FC50 2.800 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160811C-FC50 TSOP-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811C-FC50000 TSOP-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811C-FC50000(00 TSOP-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160811D-BC50T00 TSOP-28 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C