K4E160811DBC60

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Hersteller-Nummer K4E160811DBC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811D-BC60000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811DBC60 4.000 Anfrage senden
K4E160811DBC60 660 2010+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 5.000 2008+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 3.200 08+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 550 07+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 5.000 Anfrage senden
K4E160811DBC60 12.000 Anfrage senden
K4E160811DBC60 156 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71C/S17800CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C/S17803CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17800CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17803CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160811DBL60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48C21040AJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C