K4E160811DBC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160811DBC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160811D-BC60000

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160811DBC60 156 2002+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 41 200023+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 1.044 00+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 400 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 4.500 200023 Anfrage senden
K4E160811DBC60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 1.000 00+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 550 2002+ Anfrage senden
K4E160811DBC60 18.209 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71C/S17800CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C/S17803CJ/CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803BJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71C17803CJ-60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17800CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
GM71CS17803CLJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160811DBL60 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48C21040AJ-6 SOJ-28 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C