K4E160812C-FL50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160812C-FL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812C-FL50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 5.424 Anfrage senden
K4E160812C-FL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 12.000 Anfrage senden
K4E160812C-FL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 18.000 2003+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 8.900 2003+ Anfrage senden
K4E160812C-FL50 5.560 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160812C-BC50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812C-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C