K4E160812C-FL50

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E160812C-FL50
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 2MX8 EDO

产品详情

脚位/封装 FBGA
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Low Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E160812C-FL50 2,258 2005+ 索取报价
K4E160812C-FL50 5,424 索取报价
K4E160812C-FL50 8,336 2005+ 索取报价
K4E160812C-FL50 12,000 索取报价
K4E160812C-FL50 10,000 2003+ 索取报价
K4E160812C-FL50 20,000 2003+ 索取报价
K4E160812C-FL50 18,000 2003+ 索取报价
K4E160812C-FL50 6,988 2003+ 索取报价
K4E160812C-FL50 8,900 2003+ 索取报价
K4E160812C-FL50 5,560 03+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E160812C-BC50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812C-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C